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地 址: 廣州高新技術產業開發科學城彩頻路廣東軟件科學園D棟102
電 話: 4006-400-996
傳 真: 020-32069465
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HOMSEMI半導體創立于2006年,是研發、生產功率場效應管和IGBT的高新科技企業。公司在成立之初,從國外引進國際最先進的MOSFET工藝制程技術,成為國內最先進的MOSFET廠商之一。得益于政府對半導體產業的關懷和支持,我公司發展迅速,目前已通過合資或合作的形式在中國大陸和臺灣設有多個封裝測試基地和芯片制造基地,并在廣州科學城設立了應用實驗室和物流中心。

    在發展的過程中,我們建立了高素質的晶圓設計、工藝開發、封裝測試、品質控制技術團隊,封測基地擁有先進的生產設備和生產管理體系,并率先通過了ISO9001質量管理體系TS16949質量管理體系和ISO14001環境管理體系認證。公司崇尚:創新、平等、誠信、互助,并導入學習型組織企業文化建設,建立了高質、高效的管理運作團隊。

    2008年,為適應中國對功率半導體不斷增長的需求,HOMSEMI半導體與廣州成啟半導體有限公司結成合作聯盟,在廣州市科學城成立了應用實驗室和物流中心,建立了完備的電源產品實驗環境,為客戶提供完整的產品應用方案、產品可靠性測試及產品失效分析。處于第一線的應用工程師能把客戶的需求直接反映到芯片的設計工作上,使我們能生產出其它公司難以模仿的,真正為客戶創造價值的產品。

    2010年,HOMSEMI  TRENCH (溝槽工藝)MOSFET工藝制程投入使用,技術達到國際領先水平。
    2011年,HOMSEMI  1200V系列IGBT投產,成為大中華區最先投產IGBT的廠商之一。

    今天,HOMSEMI的MOSFET和IGBT產品已經在電源、汽車照明、UPS、馬達驅動等領域廣泛應用,HOMSEMI良好的信譽和穩定的質量得到客戶的廣泛認同。

我們的使命:深入了解客戶的應用需求,提供最適合的產品。做最貼近客戶應用需求的功率半導體供應商,與客戶雙贏互惠,共同發展。

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