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MOSFET 的極限功率
2011/9/2 17:03:45

EAS-單脈沖雪崩擊穿能量

如果電壓過沖值(通常由于漏電流和雜散電感造成)未超過擊穿電壓,則器件不會發生雪崩擊穿,因此也就不需要消散雪崩擊穿的能力。雪崩擊穿能量標定了器件可以容忍的瞬時過沖電壓的安全值,其依賴于雪崩擊穿需要消散的能量。
定義額定雪崩擊穿能量的器件通常也會定義額定EAS。額定雪崩擊穿能量與額定UIS具有相似的意義。EAS標定了器件可以安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。
L 是電感值,iD為電感上流過的電流峰值,其會突然轉換為測量器件的漏極電流。電感上產生的電壓超過MOSFET擊穿電壓后,將導致雪崩擊穿。雪崩擊穿發生時,即使 MOSFET處于關斷狀態,電感上的電流同樣會流過MOSFET器件。電感上所儲存的能量與雜散電感上存儲,由MOSFET消散的能量類似。
MOSFET并聯后,不同器件之間的擊穿電壓很難完全相同。通常情況是:某個器件率先發生雪崩擊穿,隨后所有的雪崩擊穿電流(能量)都從該器件流過。

 

 EAR -重復雪崩能量

重復雪崩能量已經成為“工業標準”,但是在沒有設定頻率,其它損耗以及冷卻量的情況下,該參數沒有任何意義。散熱(冷卻)狀況經常制約著重復雪崩能量。對于雪崩擊穿所產生的能量高低也很難預測。
額定EAR的真實意義在于標定了器件所能承受的反復雪崩擊穿能量。該定義的前提條件是:不對頻率做任何限制,從而器件不會過熱,這對于任何可能發生雪崩擊穿的器件都是現實的。在驗證器件設計的過程中,最好可以測量處于工作狀態的器件或者熱沉的溫度,來觀察MOSFET器件是否存在過熱情況,特別是對于可能發生雪崩擊穿的器件。

MOSFET在從截止到完全導通過程中,牽涉到MOSFET管的耐受力:

1,電壓

2,電流

3,MOSFET內部消耗的總能量

當然還有很多其它參數,比如電壓上升率等.

A:MOSFET在從截止到完全導通過程中所能承受的最大功耗小于或等于Eas.

注A:時間在較短時間內(MOSFET內部熱量來不及傳到外部),比如說t小于200uS.時間太長失去單次開關討論的意義.

B:MOSFET在正常導通工作時所能承受的最大功耗小于或等于Ear.

注B:開關頻率與MOSFET廠家給出的頻率一樣(測試Ear時所用頻率).

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