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HOMSEMI POWER MOSFET驅動電路應用實例
2011/11/8 10:30:20

HOMSEMI POWER MOSFET驅動電路應用實例

1.主要參數及特性

MOSFET是由電壓控制型器件,輸入柵極電壓VG控制著漏極電流ID,即一定條件下,漏極電流ID取決于柵極電壓VG。極限參數有:最大漏源電壓VDS、最大柵源電壓VGS、最大漏極電流ID,最大功耗PD。在使用中不能超過極限值,否則會損壞器件。主要電特性有:開啟電壓VGS(Th);柵極電壓為零時的IDSS電流;在一定的VGS條件下的導通電阻RDS(ON)。

2.基于開關電源IC3843驅動電路

HS70N06 VGS一般3.1V就可以完全開啟,也有很低的導通電阻RDS(ON),像3843這類內部帶圖騰柱驅動電路的IC一般都可以很輕松的驅動它.柵極電阻的選擇范圍也比較大,一般可以從幾歐到幾百歐.

3.基于MCU圖騰驅動電路

MCU的工作電壓都比較低(一般都在5.5V以下),不能直接驅動HS80N75或者說驅動能力很差.所以我們一般選擇增加外部圖騰驅動電路.

4.基于逆變器輸出驅動電路

5.基于HID安定器全橋驅動電路

6.基于DCBL馬達驅動電路

在這種通電方式里,每瞬間均有三只MOSFET通電.每60o換相一次,每次有一個MOSFET換相,每個MOSFET通電180o.

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